第43章 到嘴的鴨子飛了

 硅片和塑料鏡頭相比，製造難度上升了可不止一個等級。

 不止是設備本身複雜、龐大，對設備本身的材料要求也更高，

 比如單晶爐的爐體和爐管，使用的是一種高純度的sio2，能夠承受高溫下的化學反應和熱應力。

 爐底和爐蓋這些會與硅材料接觸的部分，則由陶瓷材料構成，由高純度的al2o3和si3n4等耐高溫材料製成，熱傳導和耐腐蝕性能強。

 最關鍵的部位是加熱棒。

 康馳這套單晶硅提純的方法，並不是主流的柴可拉斯基法，而是浮帶法，也叫區域熔鍊法，

 這種方法的原理，是在多晶硅棒上套上一個環形加熱器，對多晶硅棒進行分段熔鍊提純，最終得到11個9純度的單晶硅棒。

 它的好處是製造的速度，比柴可拉斯基法更快，

 用柴克拉斯基法拉出一根12英寸一米五的硅棒，需要耗時8小時左右，而採用浮帶法，只需要1個小時甚至更低。

 另外，浮帶法也可以通過技術手段，改變單晶硅棒的形狀，

 比如硅片通常都是圓的，硅片經過光刻和蝕刻後變成了晶圓，最後像切蛋糕一樣，把晶圓切成幾十塊方形的芯片，封裝後就成了用戶手裡的cpu。

 而從圓到方的過程，自然不可避免地會造成邊緣的浪費。

 如果採用浮帶法，只要改變加熱棒的形狀，理論上是可以製造出比12英寸還大的硅棒，減少後續對晶圓裁切的浪費，

 甚至繼續技術突破，拉出方形的硅棒，做到晶圓零浪費也是完全有可能的。

 只不過浮帶法對熔鍊提純的技術的要求非常高，目前採用這種方法得到的單晶硅棒，良率都很低，屬於還待完善的方法。

 而康馳這套方案，其實就是改良版的浮帶法。

 它做法是在加熱棒下面，再加一根冷卻棒。

 這樣不但可以更進一步的提高熔鍊速度和質量，還能快速穩定硅棒形狀。

 但它的技術難度，無疑又提升了一個量級，對加熱棒和冷卻棒的控制能力極其苛刻，其設備複雜程度，和普通的單晶爐更不是一個量級。

 正因如此，康馳不可能再像鏡頭生產線那樣，自己一個人就完成這個項目，