第43章 到嘴的鴨子飛了
硅片和塑料鏡頭相比,製造難度上升了可不止一個等級。
不止是設備本身複雜、龐大,對設備本身的材料要求也更高,
比如單晶爐的爐體和爐管,使用的是一種高純度的sio2,能夠承受高溫下的化學反應和熱應力。
爐底和爐蓋這些會與硅材料接觸的部分,則由陶瓷材料構成,由高純度的al2o3和si3n4等耐高溫材料製成,熱傳導和耐腐蝕性能強。
最關鍵的部位是加熱棒。
康馳這套單晶硅提純的方法,並不是主流的柴可拉斯基法,而是浮帶法,也叫區域熔鍊法,
這種方法的原理,是在多晶硅棒上套上一個環形加熱器,對多晶硅棒進行分段熔鍊提純,最終得到11個9純度的單晶硅棒。
它的好處是製造的速度,比柴可拉斯基法更快,
用柴克拉斯基法拉出一根12英寸一米五的硅棒,需要耗時8小時左右,而採用浮帶法,只需要1個小時甚至更低。
另外,浮帶法也可以通過技術手段,改變單晶硅棒的形狀,
比如硅片通常都是圓的,硅片經過光刻和蝕刻後變成了晶圓,最後像切蛋糕一樣,把晶圓切成幾十塊方形的芯片,封裝後就成了用戶手裡的cpu。
而從圓到方的過程,自然不可避免地會造成邊緣的浪費。
如果採用浮帶法,只要改變加熱棒的形狀,理論上是可以製造出比12英寸還大的硅棒,減少後續對晶圓裁切的浪費,
甚至繼續技術突破,拉出方形的硅棒,做到晶圓零浪費也是完全有可能的。
只不過浮帶法對熔鍊提純的技術的要求非常高,目前採用這種方法得到的單晶硅棒,良率都很低,屬於還待完善的方法。
而康馳這套方案,其實就是改良版的浮帶法。
它做法是在加熱棒下面,再加一根冷卻棒。
這樣不但可以更進一步的提高熔鍊速度和質量,還能快速穩定硅棒形狀。
但它的技術難度,無疑又提升了一個量級,對加熱棒和冷卻棒的控制能力極其苛刻,其設備複雜程度,和普通的單晶爐更不是一個量級。
正因如此,康馳不可能再像鏡頭生產線那樣,自己一個人就完成這個項目,