第九百五十六章：技術方向

 第一點，硅基芯片的溝長極限為12納米，而我們的晶體管可以縮小到10納米，同時保持理想的亞閾值擺幅75毫伏量程。

 第二點，硅基芯片目前的理論極限是典雅0.6伏，我們的彈道二維硒化銦晶體管可以將電壓縮小到0.5伏，將器件電流從100納安/微米標準關態打開到超過1毫安/微米開態。

 第四點，門延時縮減到0.32皮秒，四倍優勢於硅基極限1.26皮秒。

 最後就是我們這種晶體管的功耗延遲積縮減到4.32e-29焦秒/微米，比硅基芯片的理論極限低一個量級。”

 在彭德行教授說出這四個優勢的時候，現場這些位科學家、半導體工程師神態各異，但眼神卻有著相同的驚奇、佩服。

 周瑜看到這一幕，並沒有浪費時間，等了幾秒之後就使用平板進入了自己的雲端文件庫，在與彭德行教授耳語了幾句之後，這才將彈道二維硒化銦晶體管與硅基晶體管的技術比較圖片資料放在了身後的大屏幕上。

 然後他才鼓掌，吸引眾人的目光，開口說道：“彭教授團隊做這個項目的時間其實並不短，只不過以前他們團隊能夠用到的資源太少，不論是實驗資金還是實驗設備，距離國際頂尖半導體工廠還是有一定的距離，在進入咱們集團之後，我們沒有調整團隊人員的工作崗位，並且增加了研究員、工程師，並且在徵求同意之後，將實驗需求與公司、工廠以及合作企業做了對接。

 彭教授，這些圖表的數據，您比我更加清楚，我也相信在座的大家都很想要更深入仔細瞭解該晶體管的具體優勢，您上臺講講吧。”

 見狀，其他人也趕忙說道：“彭教授，講一講吧！我們真的好奇！”

 “老彭，快講一講。”

 看到這些熟悉的面孔這樣焦急，彭德行又轉頭看向已經走到主講臺上做邀請姿態的青年董事。

 想起自己最開始在京兆大學的不被看好，後面有了一些成果，也沒有辦法進行頂級半導體設備的參與測試，到進入新科集團之後被一堆頂級資源包圍，只要理論方向沒有問題，就能夠申請試用，試用有優秀結果，後續更是能夠長時間使用。

 人心一念，彭德行欣然接受，帶著戰友和學生們走到主講臺前。

 周瑜退到了一旁，將舞臺交給了這個團隊。

 很快，在這個房間響起了講解彈道二維硒化銦晶體管的聲音。

 “圖1a描述了設計具有良好導通和關斷特性的超尺度彈道晶體管的基本物理規則，主要就是兩個比較關鍵的材料數據——熱速度和縮放長度。超算模擬計算和測試結果表明，我們創新這種y-inse結構的能量最低，是所有潛在結構中最穩定的。

 圖2a顯示了彈道晶體管與其他二維短通道場效應晶體管的七個典型飽和輸出特性的比較，測試結果也證明二維inse fet其他短通道二維fet的電壓要低得多……”

 本來剛開始大家都在聽彈道二維硒化銦晶體管的技術，隨後聽著聽著，包括李賢審、鄭承夏、楊剛省在內的技術高管就有些明悟了。

 現在硅基芯片的性能、功耗還有一個進步方向！

 就是用彈道二維硒化銦晶體管代替以往的晶體管結構。

 這樣可以做到在不需要大範圍更換設備的情況下，再一次將新科半導體掌握的5納米工藝和5+納米工藝芯片的性能再向前進一大步，跨越式領先。

 預計的技術極限又被打破。

 而且彈道二維硒化銦晶體管是基於二維材料硒化銦（inse）的晶體管，而不是基於碳基材料，所以這代表著新科半導體可以在硅基芯片領域保持領先優勢的時間被再一次延長。

 只不過彭德行講解的速度很快，周瑜還沒有感覺自己休息多久，就在一旁聽到這位半導體大佬講道：“不論是當初在學校實驗室進行的項目實驗，還是到咱們新科半導體任職，我都越發堅信，只有擁有自主技術才不會被其他人卡住未來。