第九百五十五章：討論

 當然還有的多重曝光技術、多顆芯片以堆疊的方式封裝在一起的3d封裝技術，也是其他項目組在做的，咱們在座的各位也都有一部分精力被分到這些項目當中。

 所以，咱們或許要換一個腦子，來想象碳基芯片這個項目的工藝方向。”

 換一個腦子？

 李賢審聽到周瑜說出這番話的時候，也下意識摸了摸自己的額頭。

 但是鄭承夏教授卻根本就沒給周瑜故弄玄虛的機會，直接開口說道：“董事長你說的是讓我們換個思維方式吧？”

 周瑜對這位老教授伸出了右手大拇指點贊。

 “沒錯，就是換一個思維方式，不要將碳基芯片當做硅基半導體芯片去做，要從最初的選材就開始自己探索。

 比如硅基芯片的大概製造流程就是先找到品質比較

好的硅石，提純二氧化硅（sio）然後冶煉成為硅錠，製成硅棒，升級為芯片級單晶硅棒，再切割成硅片，選擇出最優秀的硅片晶圓，然後使用光刻技術在晶圓上，用光雕琢出芯片。

 現在咱們研發硅基芯片受到的限制，其根本原因就是由於硅原子的物理特性以及隧穿效應的影響。

 硅原子的直徑約為0.12納米，當芯片的製程縮小到1納米時，已經無法再繼續增加晶體管的數量，因為硅原子的大小限制了芯片的進一步縮小。

 此外，當芯片的製程達到1納米時，隧穿效應會變得非常明顯，導致電流無法按照預期流動，從而影響芯片的性能和穩定性。

 哪怕是使用euv光刻機和finfet結構等技術手段進行升級，但這些技術雖然能在一定程度上提高性能，卻無法完全克服物理極限！”

 周瑜隨手拿過一塊還未使用的黑板，用特製的磁性筆在上面書寫著硅基芯片的簡略製造流程和缺陷。

 雖然現實商業競爭當中，臺積電還在想著競爭5納米工藝，夢想著突破3納米工藝，但是周瑜早就已經看到了五納米以下製程技術的迭代困難程度。

 現在基於硅基芯片研發的技術工藝，的確是全球頂尖但是在數年之後，先進的設備也會變得落後，硅基芯片的未來前景早就已經有了厚厚的一層陰影。

 之所以之前沒有帶領公司的工程師們直接推進碳基芯片項目，也是因為整個大夏聯邦的半導體產業人才、資源還沒有如今這樣豐富和強大，自家公司的半導體人才、設備、研發經驗太過稀缺。

 而現在，硅基芯片項目快摸到天花板了，也是時候帶著這群半導體精英工程師向碳基芯片衝鋒了。

 李賢審、鄭承瀚以及負責新科光源項目的高管周潭、光刻膠項目的負責人楊剛省、李明偉；拋光項目的工程師李毅風、晶圓培育負責人李明偉等人，在一眾專家教授、半導體頂級工程師的陪伴下，耐心聽著周瑜梳理技術脈絡。

 雖然這些內容都是行業最淺顯的知識，但是在這一行乾的時間太久，他們也在工作中發現有不少人會幹著幹著就開始“鑽牛角尖”，在細分的職業賽道上狂奔，逐漸忘了行業其他環節的技術協同。

 隨後，周瑜在黑板上畫起了一個晶體管的特殊設計方案。

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 “毫無疑問，現在學術界的共識是使用碳納米管制備碳基芯片，並且在我們的探索實驗過程中也的確發現碳基芯片比硅基芯片有更多優勢，所以我們先不要考慮那些有的沒有，先從最基礎的材料，還有這根晶體管著手。

 當然首先要做的就是需要提純，得到現有程度能夠做到的最高純度，最高性能碳納米管晶體管的無摻雜製備方法，對於碳納米管材料的要求，現階段可以定為50納米，然後一步步迭代到現在硅基芯片的5納米。

 除此之外，大家這段時間看到咱們彭教授團隊的最新成果沒有？”

 周瑜原本還在講技術項目，但突然這麼一嗓子，讓不少剛剛進入科研狀態的中年人大腦突然宕機。