第五百七十一章：光刻機區別

 光刻機之所以會被行業內外人士稱為“光刻機”，其實是一個很生動具體的稱呼，它就是利用光的特殊原理，雕刻芯片的高精尖機器。

 光，在這臺機器上，就是手術刀，就是工兵最需要的利器。

 李賢審目光凝重道：“據說，荷蘭阿斯麥公司將要賣給臺積電的euv光刻機所用的光源是

極紫外光源，這個光源製造出來的euv光刻機，不僅可以輕鬆製造出臺積電製程標準的10納米芯片，或許，如果臺積電的工程師足夠激進的話，恐怕幾年內，就可能將其推進到10納米以下的高性能芯片。”

 楊剛省也在一旁說道：“這件事情，我還算比較清楚，因為光刻膠在這兩者的應用也不一樣。

 荷蘭阿斯麥公司聯合全球一眾科學家、工程師，搞出來的這臺euv光刻機，據說其使用的極深紫外線，其光源波長為13.5納米。

 而現在夏芯國際還在使用的duv光刻機，則是使用的深紫外線，其光源波長為193納米。

 euv光刻機的光源是通過激光激發等離子體來發射euv光子，而duv光刻機的光源為準分子激光。因為光源產生方式的不同，所以我們也要開發不同類型的專用光刻膠。

 並且除此之外，我們的晶圓工藝也需要提升，否則芯片良品率會差許多。”

 有這兩位開口，其他人也是群策群力，提供著自己的情報。

 “以前我聽西工大的教授說起過，這兩種光刻機的光路系統設計都非常不同。

 euv光刻機利用的是光的反射原理，並且內部必須是真空操作，不能夠有空氣和雜物。而duv光刻機主要利用光的折射原理，透鏡和晶圓之間可以採用不同的介質來改變光刻性能，我們大夏聯邦已經有光刻機研發機構，快要突破duv光刻機的光源設備、透鏡工藝了。”