第四百六十三章 運動統計方程

硅基半導體起步就是單晶硅，以前技術不達標，市面上也高過多晶硅和非晶硅的，但這倆玩意相比單晶硅來說，缺陷密度實在太高，在單晶硅生產技術和製造成本下降之後，這年頭搞硅基半導體產業的基本都在做單晶硅。

不過嘛，有些客戶因為種種原因，非要買多晶硅或是非晶硅的產品，也是可以理解的。

作為純淨度最高的基底單晶硅，假設其內部無缺陷，每立方厘米的原子密度約為五乘以十的二十二次方。

這玩意一看就知道了，和鐵單質的情況差距不大。

再看實際工作的半導體結構，目前的民用製程普遍在3nm左右（應該？），其結寬度假設為3nm。別說十的十八次方的異常了，就算十的十九次方的異常，這玩意在3nm的結構裡也不顯眼啊。

更別說這玩意也沒有這麼多的可移動電子供“運動統計”方程使喚，常溫常壓下，一個立方厘米的本徵硅半導體，也就只有十的十次方個電子可看做自由移動的。

就算這玩意全都按某一方向神秘地運動吧，落在3nm結構裡頭，太低了，太低了。

由此可見，對過去物理界所熟悉的微觀物質來說，無論是考慮其宏觀現象還是考慮其工業微觀現象，運動統計方程都可以抹去少量粒子的奇異運動，實現大差不差的需求。